此前，三星新一代旗舰Galaxy S8曾宣布将搭载8GB超大运行内存，但如何在超薄智能手机上搭载8GB这样大容量的运行内存，对三星的设计和组装技术也是一个挑战。

不过，最近SK Hynix正式宣布，它已成功地在双8千兆位双通道四层堆栈过程中运行内存，这是智能手机上8GB RAM所需的组件。 虽然我们对SK Hynix并不陌生，但之前该公司曾表示，2013年首次制造了1GB DDR3移动RAM芯片。

据SK Hynix介绍，这一新封装工艺比现有的LPDDR4移动芯片减少30%的空间和20%的功耗。 这一新工艺被称为LPDDR4X，今年将有非常大的市场需求。 基本上包括Galaxy S8和iPhone 8在内的主流旗舰智能手机都采用了这一新工艺的运行内存芯片。

苹果是否会为iPhone 8配备8gb ram尚不确定，但毕竟对苹果来说是非常激进的变化。 但是，至少在Galaxy S8上看到这种新的高密度RAM的可能性相当高。 不过，现在**9月份的苹果发布会还相当长，库克是否会为10周年纪念iPhone 8“大动作”，现在谁也不敢说。