高通今天宣布，将与三星电子合作开发新一代骁龙835处理器。 最大的特色是采用三星的10纳米工艺技术构建，支持Quick Charge 4.0快速充电技术。

高通表示，通过采用全新的10纳米工艺，英龙835处理器将实现低功耗和高性能，从而增强移动设备的用户体验。

今年10月，三星率先宣布量产10纳米工艺，据悉，与前代14纳米工艺相比，10纳米工艺可将芯片尺寸减少30%，同时将性能提高27%，功耗降低40%。

10纳米工艺的高通骁龙835处理器通过减小SoC大小，使OEM制造商能够进一步优化移动设备的内部结构，包括添加电池和薄型化**。 此外，工艺的改进还可以提高电池续航时间。

目前，骁龙835已经投入生产，基于骁龙835处理器的设备有望在2017年上半年陆续上市。

除了骁龙835处理器外，高通还正式发布了快速充电技术，以支持骁龙835处理器。 QC 4.0在前代方案的基础上继续提高充电效率。 官方称充电5分钟可以将手机的使用时间延长5小时，充电效率比以前增加30%。 此外，QC 4.0还集成了对USB-C的支持，适用范围更广。